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Samsung 2To SSD 2.5" 850 EVO
de SAMSUNG
*Les prix indiqués sont à titres indicatifs, nous vous conseillons de vérifier sur le site marchand avant tout achat.
Disque SSD - Capacité 2To - SATA 6Gb/s - Format 2.5" - Contrôleur Samsung MGX - Vitesse de lecture 540Mo/s - Vitesse d'écriture 520Mo/s - Performance 4KB Random écriture max. 90 000 IOPS - Mémoire de type Samsung 32 Layer 3D V-NAND - Réf. MZ-75E2T0B/EU - Garantie 5 ans
| Informations générales sur le produit | |
|---|---|
| Marque | SAMSUNG |
| Nom du produit | Samsung 2To SSD 2.5" 850 EVO |
| Catégorie | DISQUE DUR SSD |
| Général | |
| Type de périphérique | Disque SSD - interne |
| Facteur de forme | 2.5" |
| Capacité | 2 To |
| Interface | SATA 6Gb-s |
| Taille de la mémoire tampon | 2 Go |
| Caractéristiques | Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, mode DevSleep, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Samsung MHX Controller, Low Power DDR3 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
| Poids | 66 g |
| Largeur | 69.85 mm |
| Profondeur | 100 mm |
| Hauteur | 6.8 mm |
| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
| Cryptage matériel | Oui |
| Performances | |
| Débit de transfert du lecteur | 600 Mo-s (externe) |
| Débit de transfert interne | 540 Mo-s (lecture) - 520 Mo-s (écriture) |
| Ecriture aléatoire 4 Ko maximum | 90000 IOPS |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 98000 IOPS |
| Endurance SSD | 150 TB |
| Expansion et connectivité | |
| Interfaces | 1 x SATA 6 Gb-s - ATA série de 7 broches |
| Baie compatible | 2.5" |
| Alimentation | |
| Consommation électrique | 4.7 Watt (moyenne) 2 mW (veille) 7.2 Watt (maximum) 60 mW (inactif) |
| Logiciels & Configuration requise | |
| Logiciel inclus | Samsung Magician Software |
| Caractéristiques d’environnement | |
| Température de fonctionnement maxi | 70 °C |
| Température de fonctionnement mini | 0 °C |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ impulsion semi-sinusoidale 0,5 ms |
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