850 EVO 2 To

L’architecture unique et innovante de la mémoire Flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l’endurance de l’architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s’inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d’augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.

• Interface SATA III 6 Gb/s.
• Nouveau contrôleur MGX.
• Vitesse max. de lecture séquentielle : 540 Mo/s.
• Vitesse max. d’écriture séquentielle : 520 Mo/s.

Grâce à la technologie Turbowrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d’écriture et par conséquent, vous maximiser votre utilisation informatique au quotidien. En plus d’une expérience utilisateur 10% supérieure à celle du 840 EVO, vous obtenez également des vitesses d’écriture aléatoires jusqu’à 1,9 fois plus rapides. Ceci est aussi valable pour les modèles 120/250 Go. Le 850 EVO offre les meilleures performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s) et d’écriture (520Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d’attente en cas d’utilisation d’un PC Client.

Passez à la vitesse supérieure avec le mode RAPID amélioré.
Accélérez vos performances à tout moment avec le logiciel Samsung Magician qui offre le RAPID mode pour un traitement des données 2 fois plus rapides au niveau du système. Pour ce faire, celui-ci utilise la mémoire libre du PC (DRAM) comme stockage cache. Tandis que l’utilisation de la mémoire maximale en RAPID mode était de 1Go dans la version précédente du 840 EVO, le nouveau Magician la fait passer à 4 Go fans le 850 EVO grâce à l’application d’une mémoire DRAM de 16 Go. Vous doublez également vos performances dans toutes les profondeurs de file d’attente aléatoires.