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Samsung 850 EVO MZ-N5E500BW Disque SSD chiffré 500 Go interne M.2 2280 SATA 6Gb-s mémoire tampon : 512 Mo Self-Encrypting Drive…

Samsung 850 EVO MZ-N5E500BW Disque SSD chiffré

de SAMSUNG

210,47 €

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Détails du produit : Samsung 850 EVO MZ-N5E500BW Disque SSD chiffré

Descriptif : Samsung 850 EVO MZ-N5E500BW Disque SSD chiffré 500 Go interne M.2 2280 SATA 6Gb-s mémoire tampon : 512 Mo Self-Encrypting Drive…

L'architecture unique de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle.Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que…

  • Capacité : 500 Go
  • Hauteur : 1.52 mm
  • Interfaces : 1 x SATA 6 Gb-s - M.2 Card
  • Caractéristiques : Chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, mode DevSleep, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
  • Débit de transfert interne : 540 Mo-s (lecture) - 500 Mo-s (écriture)
Informations générales sur le produit
MarqueSAMSUNG
Nom du produitSamsung 850 EVO MZ-N5E500BW Disque SSD chiffré 500
CatégorieDISQUE DUR INTERNE
Général
Type de périphériqueDisque SSD - interne
Capacité500 Go
InterfaceSATA 6Gb-s
Taille de la mémoire tampon512 Mo
CaractéristiquesChiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, mode DevSleep, compatible Microsoft eDrive, 3D V-NAND Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Samsung MGX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur22.1 mm
Profondeur80.3 mm
Hauteur1.52 mm
Type de mémoire flash NAND3 bits par cellule (TLC)
Cryptage matérielOui
FormatM.2 2280
Performances
Débit de transfert du lecteur600 Mo-s (externe)
Débit de transfert interne540 Mo-s (lecture) - 500 Mo-s (écriture)
Ecriture aléatoire 4 Ko maximum89000 IOPS
Expansion et connectivité
Interfaces1 x SATA 6 Gb-s - M.2 Card
Baie compatibleM.2 2280
Alimentation
Consommation électrique50 mW (actif)
3.5 Watt (moyenne)
4.7 Watt (maximum)
2 mW (veille)
Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclusSamsung Magician Software, Samsung Data Migration
Caractéristiques d’environnement
Résistance aux chocs (au repos)1500 g @ impulsion semi-sinusoidale 0,5 ms
Température maximale de fonctionnement70 °C
Température minimale de fonctionnement0 °C
Garantie du fabricant
Service et maintenanceGarantie limitée - 5 ans

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